問答題列舉出你見到的、想到的不同類型的集成電路及其主要作用？
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1.單項選擇題當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
2.單項選擇題化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
3.多項選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
4.單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
5.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
6.多項選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
7.多項選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，電路速度可增加α倍
8.多項選擇題消除鳥嘴效應的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
9.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
10.單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度