常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。