如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。