單項(xiàng)選擇題MOSFET的溫度特性體現(xiàn)為：（）。
A.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)升高，閥值電壓升高
B.溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降
C.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓升高
D.溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降
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1.多項(xiàng)選擇題以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG
2.多項(xiàng)選擇題集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。
A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能
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制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線
題型：單項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題