填空題全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含()、()、()和()。
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1.填空題大容量可編程邏輯器件分為()和()。
4.填空題在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì),在整個(gè)過程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源,不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充,這種擴(kuò)散方式稱為:()
5.單項(xiàng)選擇題人們規(guī)定:()電壓為安全電壓.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
最新試題
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復(fù)原狀。()
題型:判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜,比表面積就越大,則表面自由能也就越高,對燒結(jié)越有利。()
題型:判斷題
點(diǎn)缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。()
題型:判斷題
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。()
題型:判斷題
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()
題型:判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
題型:判斷題
位錯(cuò)就是由范性形變造成的,它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位,這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。()
題型:判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。()
題型:判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
題型:判斷題