A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個使用的時間長
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A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束
A.能量
B.劑量
A.能量
B.劑量
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
最新試題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。()
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()
在半導(dǎo)體集成電路中,各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響,就必須使它們在電性能上相互絕緣。()
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理,可直接進(jìn)入凈化區(qū)。()
鈀.銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。()
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。()
位錯就是由范性形變造成的,它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位,這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。()
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導(dǎo)率就越高。()