單項選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個需要的時間最長?()

A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個使用的時間長


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1.單項選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布?()

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)

2.單項選擇題從離子源引出的是:()

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

5.多項選擇題硅外延片的應(yīng)用包括()。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路

最新試題

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。()

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