單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：（）

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

2.單項(xiàng)選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量
B.劑量

3.多項(xiàng)選擇題硅外延片的應(yīng)用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路

4.多項(xiàng)選擇題硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理

5.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的形成原因是（）。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br /> B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br /> D.以上答案都不對(duì)