單項選擇題離子注入層的雜質濃度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
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1.單項選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
2.多項選擇題硅外延片的應用包括（）。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
3.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。
A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理
4.單項選擇題位錯的形成原因是（）。
A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對
5.單項選擇題下列晶體管結構中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結構
D、梳狀結構
最新試題
目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）
題型：判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）
題型：判斷題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
題型：判斷題
晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）
題型：判斷題
設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）
題型：判斷題