A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對
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A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)
A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液
A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
最新試題
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。（）
目前在半自動化和自動化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）