干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現象、圖形精度和分辨率高。（）

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

鈀．銀電阻的燒結分預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經生產廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經退火反而壞了性能。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）

拋光片的電學參數包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）