多項(xiàng)選擇題硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理


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1.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的形成原因是（）。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br /> B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br /> D.以上答案都不對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)

3.單項(xiàng)選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸

4.單項(xiàng)選擇題說明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過程叫（）：

A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)

5.單項(xiàng)選擇題屬于絕緣體的正確答案是（）。

A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液