多項選擇題

硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理

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單項選擇題

位錯的形成原因是（）。

A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對

單項選擇題

下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)