A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷(P)、砷(As)
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁(Al)
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅(Si)、碲(TE)
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
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目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導(dǎo)率就越高。()
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列,并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。()
在半導(dǎo)體集成電路中,各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響,就必須使它們在電性能上相互絕緣。()
敘述H2還原SiCl4外延的原理,寫出化學(xué)方程式。
雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。()
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。()
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),是晶體管的一個(gè)重要參數(shù),也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。()
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()