在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）

半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.（）

場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學方程式。

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產生過飽和結晶。（）