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集成電路制造工藝員（三級）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.18)

來源：考試資料網(wǎng)

1 （）的氣體源中一般包含H⁺，C⁺，B⁺，Cl⁺，O⁺等離子。

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2 一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和（）。

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3 真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。

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4 用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。

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5 （）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。

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