單項(xiàng)選擇題真空蒸發(fā)又被人們稱(chēng)為()。
A.真空沉積
B.真空鍍膜
C.真空外延
D.真空
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1.多項(xiàng)選擇題按加熱源的不同,可以分成()幾種不同類(lèi)型的蒸發(fā)。
A.真空蒸發(fā)
B.離子束蒸發(fā)
C.電子束蒸發(fā)
D.粒子束蒸發(fā)
E.常壓蒸發(fā)
2.單項(xiàng)選擇題電子束蒸發(fā)的設(shè)備中產(chǎn)生電子束的裝置稱(chēng)為()。
A.電子源
B.電子泵
C.電子管
D.電子槍
3.單項(xiàng)選擇題用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料,是形成電極的()。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定
4.多項(xiàng)選擇題為了滿足半導(dǎo)體器件對(duì)金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求,金屬材料應(yīng)該滿足()。
A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)
D.易于光刻
E.便于進(jìn)行鍵合
5.單項(xiàng)選擇題()是通過(guò)把被蒸物體加熱,利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
最新試題
刻蝕的過(guò)程中,對(duì)刻蝕的要求是()
題型:多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
題型:多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法?
題型:?jiǎn)柎痤}
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在顯影過(guò)程中,對(duì)于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理?
題型:?jiǎn)柎痤}