半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2017.12.31)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：CVD過程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...
參考答案：溝道效應(yīng)：對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時(shí)，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，注入深度很深。由于溝道...
參考答案：簡(jiǎn)述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測(cè)量。所用器件為一個(gè)諧振板，它...
參考答案：費(fèi)克第一定律：C雜質(zhì)濃度；D擴(kuò)散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時(shí)間內(nèi)流過單位面積的原子個(gè)數(shù)）解釋：如果在一個(gè)...
參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
參考答案：實(shí)際的擴(kuò)散溫度一般為900-1200℃，在這個(gè)溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)在硅中的固溶度隨溫度變化不大，采用恒定表面源...
