電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
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A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
最新試題
?CD放大器的性能特征有（）。?
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
當VGS=0時，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器，若采樣時間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。