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A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
A.熱擊穿
B.齊納擊穿
C.雪崩擊穿
D.以上都可以
A.正弦信號
B.三角波信號
C.格雷碼信號
D.數(shù)字圖像信號
最新試題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時(shí)鐘信號頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號,請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語句對應(yīng)的是()。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有()。