A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
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A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
最新試題
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號頻率約為多少？（）
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時(shí)鐘信號頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號，請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）