多項選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。
A.英偉達
B.仙童半導體
C.英特爾
D.德州儀器
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1.單項選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
2.單項選擇題?形成B的超淺結摻雜（劑量為QB）時，為了避免溝道效應可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實際注入了多少硼？（）
A.可以，實際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實際注硼：QB+QSb
D.可以，實際注硼：QB-QSb
3.單項選擇題在離子注入摻雜時，有少部分雜質進入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當偏離晶向（）ψc注入時，可以避免。
A.橫向效應，>
B.橫向效應，<
C.溝道效應，<
D.溝道效應，>
4.多項選擇題?關于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長十幾nm厚的柵氧化層時，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
5.單項選擇題在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）