當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。