厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。