常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。