進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。