光刻工藝的設備核心是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。