封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。