光刻工藝對準誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

常壓的硅外延方法有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）