摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。