你可能感興趣的試題

A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜

A.Cu
B.C
C.Na
D.O

A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大

A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器

A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm

A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb

A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>

A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長(zhǎng)十幾nm厚的柵氧化層時(shí)，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快

A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）