A.對差模信號起抑制作用
B.對共模信號起抑制作用
C.對差模信號和共模信號均無作用
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A.電阻阻值有誤差
B.晶體管參數(shù)的分散性
C.晶體管參數(shù)受溫度影響
D.受輸入信號變化的影響
A.有效放大差模信號,有力抑制共模信號
B.既放大差模信號,又放大共模信號
C.有效放大共模信號,有力抑制差模信號
D.既抑制差模信號,又抑制共模信號。
A.增加一倍
B.減小一半
C.不變
D.按指數(shù)規(guī)律變化
A.高輸入電阻,高輸出電阻,高增益
B.高輸入電阻,低輸出電阻,高增益
C.高輸入電阻,低輸出電阻,低增益
D.低輸入電阻,低輸出電阻,低增益
A.差模放大倍數(shù)值增大
B.差模輸入電阻增大
C.抑制共模信號能力增強(qiáng)
最新試題
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
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以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
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可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
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