摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。