（1）晶核形成，成束的穩(wěn)定小晶核形成 （2）聚集成束，也稱為島生長 （3）形成連續(xù)的膜
（1）對材料具有高的選擇比 （2）不會對器件帶來等離子體損傷 （3）設(shè)備簡單
最新試題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）
光刻工藝對準誤差包括（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。