光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。