刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。