進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。