問(wèn)答題畫出雙阱CMOS電路工藝順序簡(jiǎn)化圖。
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引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題