鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。

引線鍵合的常用技術(shù)有（）。

下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。

下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

AUBM的形成可以采用（）方法。

下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。

下列屬于BGAA形式的是（）。

引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。

使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。