作用是激活注入的離子,恢復(fù)遷移率及其他材料參數(shù)。
離子注入損傷,是指獲得很大動(dòng)能的離子直接進(jìn)入半導(dǎo)體中造成的一些晶格缺陷。
損傷類型:空位、間隙原子、間隙雜質(zhì)原子、替位雜質(zhì)原子等缺陷和襯底晶體結(jié)構(gòu)損傷。