MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。