版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？