圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？