版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。