多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物

3.多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體

4.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

A.真空管電子學(xué)
B.無(wú)線電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理

5.多項(xiàng)選擇題晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

A.跨導(dǎo)
B.變阻器
C.導(dǎo)體

最新試題

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

題型：多項(xiàng)選擇題

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}