下列可能造成離子源沾污的因素是（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質量要求的是（）

離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。