硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。