問(wèn)答題版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
2.問(wèn)答題試述兩種傳輸線(xiàn)電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
4.問(wèn)答題集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
5.問(wèn)答題什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
最新試題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線(xiàn)，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}