由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。