常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）