化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）