硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。